非標(biāo)芯片冷熱沖擊測(cè)試箱

非標(biāo)芯片冷熱沖擊測(cè)試箱是金屬、塑料、橡膠、電子，汽車零配件等材料行業(yè) 的測(cè)試設(shè)備，用于測(cè)試材料結(jié)構(gòu)或復(fù)合材料，在瞬間下經(jīng) 高溫及 低溫的連續(xù)環(huán)境下忍受的程度，得以在 短時(shí)間內(nèi)檢測(cè)試樣因熱脹冷縮所引起的化學(xué)變化或物理傷害。滿足試驗(yàn)方法：GB/T2423.1.2、GB/T10592-2008、GJB150.3高低溫沖擊試驗(yàn)。高低溫沖擊試驗(yàn)箱根據(jù)試驗(yàn)需求及測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)分為三箱式和兩箱式，區(qū)別在于試驗(yàn)方式和內(nèi)部結(jié)構(gòu)不同。三箱式分為蓄冷室，蓄熱室和試驗(yàn)室，產(chǎn)品在測(cè)試時(shí)是放置在試驗(yàn)室。兩箱式分為高溫室和低溫室，是通過(guò)電機(jī)帶動(dòng)提籃運(yùn)動(dòng)來(lái)實(shí)現(xiàn)高低溫的切換，產(chǎn)品放在提籃里，是隨提籃一起移動(dòng)的。

非標(biāo)芯片冷熱沖擊測(cè)試箱

參數(shù)詳情：

測(cè)試驗(yàn)環(huán)境條件：環(huán)境溫度10℃---+30℃，相對(duì)濕度≤85%

高溫室：預(yù)預(yù)熱溫度范圍   60℃~＋180℃

升高溫時(shí)間：60℃~＋180℃≤60min注：升溫時(shí)間為高溫室單獨(dú)運(yùn)轉(zhuǎn)時(shí)的性能

低溫室：預(yù)預(yù)冷溫度范圍   （-70℃~0℃）

降低溫時(shí)間：（+20℃→-60℃）≤60min注：降溫時(shí)間為低溫室單獨(dú)運(yùn)轉(zhuǎn)時(shí)的性能

試驗(yàn)室（試樣區(qū)）：試試驗(yàn)方式    氣動(dòng)風(fēng)門(mén)切換2溫區(qū)或3溫區(qū)

溫度沖擊范圍：（+60~+120）℃/（-40~-10）℃

溫度波動(dòng)度：±0.5℃

溫度偏差：±2.0℃（傳感器存放于風(fēng)道出口處）

溫度恢復(fù)時(shí)間：≤5min

恢復(fù)條件 傳感器位置：試樣的上風(fēng)側(cè)

高溫曝露：+100℃：30分鐘，低溫曝露：-40℃：30分鐘

試樣重量：30.0Kg（發(fā)熱量不超過(guò)50W）